日企首家 Resonac开发出12吋碳化硅基板 是否投资量产看需求

日本Resonac开发出12吋碳化硅单晶基板，但是否投资量产仍待评估。图为美国Wolfspeed以12吋碳化硅晶圆制作的大型中介层基板概念展示，非Resonac产品。（美联社）

日媒报导，日本半导体材料大厂Resonac Holdings宣布，成功开发出日本首片300公厘、相当于12吋的碳化硅（SiC）单晶基板，为日企首例。

与目前主流6吋基板相比，12吋基板的面积约为四倍。如果未来成为主流，可望提升功率半导体的能源效率，并大幅降低量产成本。

随着数据中心用电需求增加，市场看好碳化硅晶圆的成长潜力。

研究机构富士经济预估，全球功率半导体晶圆市场到2035年将扩大至2025年的约三倍，碳化硅晶圆占比近七成。

尺寸变大提高制造难度。碳化硅晶体生长需要摄氏2,000度以上高温，材料容易产生缺陷，且晶锭硬度高，切割与抛光也更困难。

目前仍没有业者全面投入12吋基板的商业化生产。美国Wolfspeed与中国的天岳先进虽已开发出相关产品，但要实现量产效益，仍须投入大量设备资金，并创建能稳定供应低缺陷基板的体系。