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美光控长江存储挖角窃密 。路透 美光9月对中国NAND大厂长江存储提起诉讼,指控对方挖角旗下重要工程师,非法取得NAND内存技术,并把相关技术用于自家产品与专利组合,之后甚至拿这些专利反过来控告美光侵权。 美光主张,长江存储为快速创建完整知识产权组合,刻意挖角熟悉美光内核技术的工程师,再让他们为与原先工作高度相似的技术申请专利。 美光指出,多名前员工离职时以个人或家庭因素为由,甚至没有更新领英(LinkedIn)职历,以掩饰转投长江存储。这些人原本负有离职后仍持续有效的保密义务,且曾接触高深宽比蚀刻、替换闸极、多层堆栈连接、柱体成形与清洗、内存I/O电路等3D NAND关键技术。美光还发现,多项长江存储后来拿来控告美光的专利,发明人正是美光前工程师,因此主张其中部分发明其实是在任职美光期间构思,或利用美光营业秘密开发,专利所有权应归美光。 双方专利战始于2023年,长江存储先在美国控告美光,之后陆续把战线扩大至中国、英国、德国与欧洲统一专利法院,涉及数十项专利。美光前期主要采取防守,近来才转为全面反击,指控长江存储有系统地把其3D NAND技术纳入64层、128层、232层等制程与专利组合。 但美光目前在德国反而吞下败仗。慕尼黑第一地方法院9月判决,美光侵害长江存储两项涉及3D NAND阶梯结构与字线接点阻障层的德国实用新型,并核发禁制令,禁止美光在德国提供及销售侵权产品。美光已提出上诉,并挑战相关权利效力;若其主张获法院采信,长江存储的跨国专利攻势也可能受到冲击。 |
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